Brooks仪器介绍了第一个全压力不敏感的基于压力的质量流量控制器，用于半导体制造中的蚀刻和CVD过程

布鲁克斯仪器精密流体测量和控制技术的领导者，发布了新的GP200系列，专门用于半导体制造中的蚀刻和化学气相沉积（CVD）工艺的第一完全压力不敏感的压力基质流量控制器（P-MFC）。

质量流量控制器(mfc)是生产硅晶圆的气体输送系统中最重要的部件。mfc必须精确地将惰性、腐蚀性和反应性气体输送到工艺室，即使是在很低的蒸汽压下工作。

GP200系列P-MFC在高真空条件和高于大气压力条件下运行良好，这是固有的蚀刻和CVD过程。相比之下，传统的离散型p - mfc可以在高真空条件下运行，但随着出口压力的增加，性能和控制范围降低。通过提供比传统的p - mfc更大的操作范围，GP200系列可以提高蚀刻工艺的性能，并扩大应用范围，包括CVD工艺。

“历史上，在半导体制造气体输送系统中，热MFC已经更大地使用;然而，基于压力的MFC在普及，因为它们提供了显着的优势，“布鲁克斯乐器首席技术官Mohamed Saleem博士说。“我们专门设计了我们的压力不振的GP200系列，以优化蚀刻和CVD流程，具有高精度，可重复的气体输送。”

GP200系列装置具有专利架构，克服了传统p - mfc的局限性，即使在输送低蒸汽压过程气体时，也能提供最精确的过程气体输送。它包括几个独特的设计方面，包括:

集成差压传感器:GP200系列使用与绝对压力传感器配对的集成差压传感器来计算压降，而不是使用两个离散的压力传感器，通常在传统的P-MFC中找到。该组合可从校准问题中减少测量不确定性，并提高半导体过程中的精度，重复性和漂移性能。

层流元素:GP200系列还具有专为低压降设计的层流元件，具有最佳范围的压差传感器。这种设计可以精确测量蚀刻过程中使用的具有挑战性的低蒸气压过程气体的流量，包括四氯化硅、三氯化硼和六氟丁二烯。然而传统的p - mfc需要高入口压力来操作，GP200系列在所有操作条件下的高精度和可重复性使它适用于标准压力和临界低蒸汽压气体。

下游阀架构:通过将控制阀定位在流动限制器的下游，GP200系列基本上免受下游压力波动以及上游压力波动，这使得流量进入高达1200托的压力。

超快速，高度可重复的瞬态响应：这种下游阀门结构还可以实现脉冲气体输送的快速关闭和配方设置点的切换。快速的响应时间使过程控制更加严格，能够提供精确的、高度重复的气体流量，并具有匹配的瞬态响应。

由于GP200系列支持如此广泛的工艺条件，它可以作为许多传统的p- mfc和热mfc的替代和升级。它降低了气体输送系统的复杂性和拥有成本，因为它消除了对压力调节器和传感器等组件的需要。

访问experience.brooksinstrument.com/pressure-based-mass-flow-controller-gp200访问数据表，说明视频和白皮书，详细说明GP200系列如何提高精度和重复性相比离散压力传感器。